国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制法、器件、掩膜图案的生成方法及掩膜”的专利，公开号CN121310613A，申请日期为2025年12月。

　　专利摘要显示，本申请实施例提供了一种半导体结构及其制法、器件、掩膜图案的生成方法及掩膜，该半导体结构包括：包括衬底和场氧化结构的基底；衬底具有相对的第一表面和第二表面；衬底内形成有沟道有源区；场氧化结构从第二表面向第一表面延伸，在第一表面定义出沟道有源区的第一边界，在第二表面定义出沟道有源区的第二边界；沟道有源区具有连接第一边界和第二边界的至少一个钝化连接部；钝化连接部沿从沟道有源区内部向场氧化结构延伸的方向凸出；钝化连接部由一或多个倾斜平面或曲面构成；覆盖第一表面且与场氧化结构相连的栅氧化层；形成于栅氧化层远离基底一侧的栅极。通过本申请实施例，提高了高压MOS管的击穿电压。

　　天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目634次，财产线条，此外企业还拥有行政许可22个。

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