国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“浓度补偿型超结结构及其形成方法”的专利，公开号CN121398088A，申请日期为2025年9月。

　　专利摘要显示，本发明提供一种浓度补偿型超结结构及其形成方法。该方法包括：在外延层中刻蚀沟槽形成第一导电类型的掺杂柱后，在填充沟槽前，对该掺杂柱的侧壁上部区域执行带角度的同类型离子注入，以形成浓度补偿区。本发明通过在第一导电类型的掺杂柱上部增加局部掺杂浓度，有效补偿了因沟槽形貌导致的电荷失衡，该方法对工艺波动具有自适应性，在不改变复杂外延工艺的条件下，能够显著提升器件的击穿电压、拓宽工艺窗口并提高产品良率。

　　天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线条，此外企业还拥有行政许可429个。

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